IGBT

EV çekiş invertörleri ve OBC'lerinde kullanılan yüksek güçlü yarı iletken anahtar. MOSFET tipi geçit sürmesini bipolar iletim ile birleştirir; yüzlerce amper ve ~600–1200 V'ta düşük iletim kayıpları sağlar. 800 V mimarilerde SiC MOSFET'lerle giderek yer değiştirir.