IGBT

Krachtige halfgeleiderschakelaar voor tractiewisselrichters en OBC's in EV's. Combineert MOSFET-achtige gate-aansturing met bipolaire geleiding voor lage geleidingverliezen bij honderden ampères en ~600–1200 V. Wordt in 800 V-architecturen toenemend vervangen door SiC-MOSFETs.