IGBT
IGBT · Insulated-Gate Bipolar Transistor · Leistungselektronik
Hochleistungs-Halbleiterschalter für Traktionswechselrichter und OBCs. Vereint MOSFET-Gateansteuerung mit bipolarer Leitung für niedrige Durchlassverluste bei hunderten Ampere und ~600–1200 V. Wird in 800-V-Architekturen zunehmend durch SiC-MOSFETs ersetzt.